数字隔离芯片电磁兼容性之三：EMI测试方法|行业新闻

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数字隔离芯片电磁兼容性之三：EMI测试方法

作者：艾锐达光电时间：2018.10.22 浏览：-

IEC61967系列标准是150kHz~1GHz的集成电路电磁发射测试标准，不同测量方法（部分标准）之间的比较表如下：

表一：IEC61967测试方法比较表

注： a — 差模电压和共模电流

b — 共模电压和电流

c — 1/150Ω组合连接

d — 合适的微带线组合

北美汽车工程协会制定的集成电路电磁兼容测试标准SAEJ1752-3，已被车规AECQ100的E9测试项所采用。IEC61967-2集成电路电磁发射测量标准（频率150kHz到1GHz）之辐射发射测量方法——TEM小室法与宽带TEM小室法，参考的也是SAEJ1752-3TEM小室法。换句话说，理论上芯片原厂是能提供车规级芯片的E9测试报告，也就是说能提供IEC61697-2的测试报告。

TEM小室法是Transverse ElectroMagnetic Cell的简写，GTEM小室法是Wideband gigahertz TEM Cell的简写。IEC61967-2 规定的TEM小室本质上是变异的同轴线，主传输段为矩形，两端锥形过渡，通过同轴接头与同轴电缆相连。一头连接同轴线到测试接收机，另一头连接匹配负载，如图1所示。小室的外导体顶端有一个方形窗口用于安装测试电路板，测试板中焊接有被测IC的一侧安装在TEM小室的内侧，而互联线和外围器件的一侧向外安装，这样使得所测得的辐射发射主要来自于IC芯片。被测芯片产生的高频电流在互连导线上流动，那些焊接引脚、封装连线就充当了辐射发射天线。当TEM小室的工作频率低于其截止频率时，TEM小室同轴电缆端口所测得的电压与辐射源的发射场大小具有较好的定量关系，因此，可用此电压值来衡量IC 芯片辐射发射的水平。

数字隔离器/隔离芯片

图1 TEM小室法辐射发射测试示意图

GTEM小室可以等效为截面渐变的阻抗为50Ω的同轴线。它的一端与50Ω同轴线连接，另一端接均匀分布的匹配负载，包括锥形吸波材料和芯板末端用于阻抗匹配的电阻。GTEM小室的外形为四棱锥形，如图2所示，侧面安装屏蔽门，锥顶处为50Ω同轴转换头，同轴接头内导体向锥底部膨大成三角形金属板，终端进行阻抗匹配，并铺设微波吸波材料。内导体向顶部倾斜，以留给被测件更大的空间。小室的密闭性很重要，任何缝隙或泄露都可能影响小室的反射、吸收、阻抗、场均匀性等指标，并带来测量误差。

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